Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 350mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 20mA |
Ft,max | 100MHz |
Cctip,pF | 5 |
Hfe | 30T |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | AF106 2N2170 GT309B |
Изготовитель |
hitachiБиполярные транзисторы hitachiIGBT транзисторы hitachiFET транзисторы hitachi |
Назначение | VHF, Low Power |
to5 | Распиновка |
---|---|