Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 20V |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 5MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 35MIN |
Tj,max | 85ºC |
Аналоги | ASY27 2N1997 GT321V |
Изготовитель |
matsushitaБиполярные транзисторы matsushitaIGBT транзисторы matsushitaFET транзисторы matsushita |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to5 | Распиновка |
---|---|