Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 125mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 40mA |
Ft,max | 100MHz |
Cctip,pF | 4 |
Hfe | 70T |
Tj,max | 85ºC |
Аналоги | AF106 2N2170 GT309B |
Изготовитель |
hitachiБиполярные транзисторы hitachiIGBT транзисторы hitachiFET транзисторы hitachi |
Назначение | VHF, Low Power |
to44-2 | Распиновка |
---|---|