Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 50mW |
Ucb,max | 15V |
Uce,max | 6V |
Ueb,max | 15V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 20MHz |
Cctip,pF | 5 |
Hfe | 100T |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | AF124 2N1516 GT322V |
Изготовитель |
fujitsuБиполярные транзисторы fujitsuIGBT транзисторы fujitsuFET транзисторы fujitsu |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to1 | Распиновка |
---|---|