Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 120mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 12MHz |
Cctip,pF | 4 |
Hfe | 70T |
Tj,max | 85ºC |
Аналоги | AF124 2N1516 GT308B |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to1 | Распиновка |
---|---|