Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 125mW |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | 40V |
Ueb,max | 2V |
Ic,max | 400mA |
Ft,max | 20MHz |
Cctip,pF | 5 |
Hfe | 60T |
Tj,max | 85ºC |
Аналоги | ASY27 2N1997 GT321V |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | Medium Power, Switching, High Frequency |
to1 | Распиновка |
---|---|