Биполярный транзистор - 2SA506
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 75mW |
| Ucb,max | 20V |
| Uce,max | 18V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 5mA |
| Ft,max | 50MHz |
| Cctip,pF | 2 |
| Hfe | 20T |
| Tj,max | 85ºC |
| Аналоги | AF106 2N2170 GT309B |
| Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
| Назначение | VHF, Low Power |
| to72 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |