Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 55mW |
Ucb,max | 18V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 10mA |
Ft,max | 40MHz |
Cctip,pF | 3 |
Hfe | 20MIN |
Tj,max | 85ºC |
Аналоги | AF124 2N1516 GT308B |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to1 | Распиновка |
---|---|