Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 110V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 50MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 30MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BFW43 2N4358 |
Изготовитель |
hitachiБиполярные транзисторы hitachiIGBT транзисторы hitachiFET транзисторы hitachi |
Назначение | RF, Medium Power, High Voltage |
to18 | Распиновка |
---|---|