Биполярный транзистор - 2A847
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 200mW |
| Ucb,max | 90V |
| Uce,max | 90V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 50mA |
| Ft,max | 150MHz |
| Cctip,pF | 5 |
| Hfe | 500T |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | BF435 2N3930 KT667A9 |
| Изготовитель |
matsushitaБиполярные транзисторы matsushitaIGBT транзисторы matsushitaFET транзисторы matsushita |
| Назначение | Low Power, High Voltage, General Purpose |
| to92 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |