Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 10W |
Ucb,max | 120V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 700mA |
Ft,max | 50MHz |
Cctip,pF | 30 |
Hfe | 35MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BUX66 2N6468 2SA483 KT712B |
Изготовитель |
hitachiБиполярные транзисторы hitachiIGBT транзисторы hitachiFET транзисторы hitachi |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
to66 | Распиновка |
---|---|