Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 190V |
Uce,max | 190V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 30MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 60MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BFW43 2N4358 |
Изготовитель |
hitachiБиполярные транзисторы hitachiIGBT транзисторы hitachiFET транзисторы hitachi |
Назначение | Low Power, High Voltage, General Purpose |
to18 | Распиновка |
---|---|