Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 150mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 10V |
Ic,max | 300mA |
Ft,max | 100MHz |
Cctip,pF | 6 |
Hfe | 45000T |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
hitachiБиполярные транзисторы hitachiIGBT транзисторы hitachiFET транзисторы hitachi |
Назначение | Darlington, Medium Power |
to92 | Распиновка |
---|---|