Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 700mW |
Ucb,max | 100V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 500mA |
Ft,max | 50MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 60MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BFT19 2N5415 2SA606 2SA607 KT505A |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Medium Power, High Voltage, General Purpose |
to5 | Распиновка |
---|---|