Биполярный транзистор - 2C111
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 30mW |
| Ucb,max | 4V |
| Uce,max | 4V |
| Ueb,max | 1V |
| Ic,max | 3mA |
| Ft,max | 1MHz |
| Cctip,pF | 22 |
| Hfe | 5MIN |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
steБиполярные транзисторы steIGBT транзисторы steFET транзисторы ste |
| Назначение | Low Power, General Purpose |
| to1 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |