Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 150V |
Uce,max | 120V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 40MHz |
Cctip,pF | 10 |
Hfe | 30MIN |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | BF435 2N3930 |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | RF, Low Power, High Voltage |
to92 | Распиновка |
---|---|