Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 100mW |
Ucb,max | 35V |
Uce,max | 35V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 100MHz |
Cctip,pF | 2 |
Hfe | 150MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BC352B 2N3906 2SA726 KT361G |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | RF, Low Power, Low Noise |
to92 | Распиновка |
---|---|