Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | 20V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 100MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 30MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BSW24 2N2907A KT313E |
Изготовитель |
hitachiБиполярные транзисторы hitachiIGBT транзисторы hitachiFET транзисторы hitachi |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to18 | Распиновка |
---|---|