Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 400mW |
Ucb,max | 50V |
Uce,max | 50V |
Ueb,max | 10V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 50MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 250MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Dual |
sp9 | Распиновка |
---|---|