Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 150W |
Ucb,max | 200V |
Uce,max | 200V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 15A |
Ft,max | 100MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 30MIN |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | 2SA1116 2SB600 |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Power, High Voltage, General Purpose |
to3 | Распиновка |
---|---|