Биполярный транзистор - 2SA912
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 750mW |
| Ucb,max | 150V |
| Uce,max | 150V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 100mA |
| Ft,max | 200MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 150T |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | BF435 2N3930 2SA1124 2SA1145 2SA879 KT632B |
| Изготовитель |
matsushitaБиполярные транзисторы matsushitaIGBT транзисторы matsushitaFET транзисторы matsushita |
| Назначение | Low Power, High Voltage, General Purpose |
| to92 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |