Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 100mW |
Ucb,max | 150V |
Uce,max | 150V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 200MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 100T |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BF470 2N3930 2SB648A KT667A9 |
Изготовитель |
matsushitaБиполярные транзисторы matsushitaIGBT транзисторы matsushitaFET транзисторы matsushita |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to126 | Распиновка |
---|---|