Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 250mW |
Ucb,max | 100V |
Uce,max | 100V |
Ueb,max | 99V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 1MHz |
Cctip,pF | 12 |
Hfe | 30MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
idiБиполярные транзисторы idiIGBT транзисторы idiFET транзисторы idi |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to5 | Распиновка |
---|---|