Биполярный транзистор - 2SB1132P
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 500mW |
| Ucb,max | 40V |
| Uce,max | 40V |
| Ueb,max | 6V |
| Ic,max | 1A |
| Ft,max | 150MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 82/180 |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
rohmБиполярные транзисторы rohmIGBT транзисторы rohmFET транзисторы rohm |
| Назначение | Medium Power, General Purpose |
| sot89 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |