Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 800mW |
Ucb,max | 140V |
Uce,max | 80V |
Ueb,max | 7V |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 100MHz |
Cctip,pF | 12 |
Hfe | 100MIN |
Tj,max | 190ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
semelabБиполярные транзисторы semelabIGBT транзисторы semelabFET транзисторы semelab |
Назначение | Medium Power, High Voltage |
lcc3 | Распиновка |
---|---|