Биполярный транзистор - 2SB1189P
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 500mW |
| Ucb,max | 80V |
| Uce,max | 80V |
| Ueb,max | 10V |
| Ic,max | 700mA |
| Ft,max | 100MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 82/180 |
| Tj,max | 195ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
rohmБиполярные транзисторы rohmIGBT транзисторы rohmFET транзисторы rohm |
| Назначение | Medium Power, General Purpose |
| sp0 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |