Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 500mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 30V |
Ueb,max | 9V |
Ic,max | 3A |
Ft,max | 120MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 82/180 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
rohmБиполярные транзисторы rohmIGBT транзисторы rohmFET транзисторы rohm |
Назначение | Low Power, General Purpose |
sp0 | Распиновка |
---|---|