Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 30W |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 35V |
Ueb,max | 30V |
Ic,max | 5A |
Ft,max | 200KHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 30/250 |
Tj,max | 85ºC |
Аналоги | AD166 2N1136 GT806A |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Power, General Purpose |
to3 | Распиновка |
---|---|