Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 80mW |
Ucb,max | 18V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 12V |
Ic,max | 5mA |
Ft,max | 2MHz |
Cctip,pF | 25 |
Hfe | 125T |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | AC125 2N1176 GT109A |
Изготовитель |
fujitsuБиполярные транзисторы fujitsuIGBT транзисторы fujitsuFET транзисторы fujitsu |
Назначение | Low Power, Low Noise, General Purpose |
to1 | Распиновка |
---|---|