Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 80W |
Ucb,max | 120V |
Uce,max | 120V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 7A |
Ft,max | 10MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 35/200 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | BD246C 2N6248 2SB697 2SB557 2SB558 TIP2955 KT887B |
Изготовитель |
hitachiБиполярные транзисторы hitachiIGBT транзисторы hitachiFET транзисторы hitachi |
Назначение | High Power, High Voltage, General Purpose |
to3 | Распиновка |
---|---|