Биполярный транзистор - 2SB810

Параметр Значение/Ед.Измерения
Материал Silicon
Полярность pnp
Pc,max 350mW
Ucb,max 30V
Uce,max -
Ueb,max 5V
Ic,max 700mA
Ft,max 80MHz
Cctip,pF 17
Hfe 200T
Tj,max 135ºC
Аналоги BC327 2N5374 2SA1175 2SB808 KT632B
Изготовитель

nec

Биполярные транзисторы nec

IGBT транзисторы nec

FET транзисторы nec

Назначение Medium Power, High Voltage
to92 Распиновка