Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 360mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 30V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 500mA |
Ft,max | 150MHz |
Cctip,pF | 10 |
Hfe | 200MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BC328 2N5819 KT685E |
Изготовитель |
genБиполярные транзисторы genIGBT транзисторы genFET транзисторы gen |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
x55-1 | Распиновка |
---|---|