Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 500mW |
Ucb,max | 50V |
Uce,max | 40V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 750mA |
Ft,max | 135MHz |
Cctip,pF | 15 |
Hfe | 150MIN |
Tj,max | 135ºC |
Аналоги | BC327 2N5811 KT505B |
Изготовитель |
genБиполярные транзисторы genIGBT транзисторы genFET транзисторы gen |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
x55-1 | Распиновка |
---|---|