Биполярный транзистор - 2N1657
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 55W |
| Ucb,max | 60V |
| Uce,max | - |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 2A |
| Ft,max | 1MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 15MIN |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | 2N1722 KT819B |
| Изготовитель |
raytheonБиполярные транзисторы raytheonIGBT транзисторы raytheonFET транзисторы raytheon |
| Назначение | Power, General Purpose |
| to53 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |