Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 500mW |
Ucb,max | 65V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 500mA |
Ft,max | 75MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 35MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | 2N4001 KT683D |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|