Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 1W |
Ucb,max | 120V |
Uce,max | 100V |
Ueb,max | 8V |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 40MHz |
Cctip,pF | 60 |
Hfe | 40/120 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | BSW66 2N5339 KT683G |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | Medium Power, High Voltage |
to5 | Распиновка |
---|---|