Биполярный транзистор - BSW66
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 800mW |
| Ucb,max | 100V |
| Uce,max | 100V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 1A |
| Ft,max | 80MHz |
| Cctip,pF | 35 |
| Hfe | 30MIN |
| Tj,max | 200ºC |
| Аналоги | BSW66 2N4001 KT630G SE6021 SE6023 |
| Изготовитель |
cdilБиполярные транзисторы cdilIGBT транзисторы cdilFET транзисторы cdil |
| Назначение | Medium Power, High Voltage |
| to5 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |