Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 350mW |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 3V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 300MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 30MIN |
Tj,max | 120ºC |
Аналоги | BSS11 2N2368 KT3117A |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | VHF, Low Power, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|