Биполярный транзистор - 2N1763
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 300mW |
| Ucb,max | 35V |
| Uce,max | 25V |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 50mA |
| Ft,max | - |
| Cctip,pF | 3 |
| Hfe | 20MIN |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | BFY50 2N2297 KT630G |
| Изготовитель |
raytheonБиполярные транзисторы raytheonIGBT транзисторы raytheonFET транзисторы raytheon |
| Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
| to5 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |