Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 800mW |
Ucb,max | 80V |
Uce,max | 35V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 60MHz |
Cctip,pF | 12 |
Hfe | 30MIN |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | BFY50 2N1893 KT630G SE6010 SE6020 SE6062 SE6063 SE8001 SE8002 SE8041 SE8042 |
Изготовитель |
philipsБиполярные транзисторы philipsIGBT транзисторы philipsFET транзисторы philips |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
to5 | Распиновка |
---|---|