Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 30V |
Ueb,max | |
Ic,max | 400mA |
Ft,max | 250M |
Cctip,pF | 8 |
Hfe | 40MIN |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | BFY50 2N2297 |
Изготовитель |
fairchildБиполярные транзисторы fairchildIGBT транзисторы fairchildFET транзисторы fairchild |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
to106 | Распиновка |
---|---|