Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 35V |
Uce,max | 15V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | - |
Cctip,pF | 3 |
Hfe | 20MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BFY50 2N2297 KT630G |
Изготовитель |
raytheonБиполярные транзисторы raytheonIGBT транзисторы raytheonFET транзисторы raytheon |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to5 | Распиновка |
---|---|