Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 85W |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 2A |
Ft,max | 25MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 12/60 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | BDY63 2N1725 KT819GM |
Изготовитель |
raytheonБиполярные транзисторы raytheonIGBT транзисторы raytheonFET транзисторы raytheon |
Назначение | Medium Power, Switching, High Frequency |
to61 | Распиновка |
---|---|