Биполярный транзистор - 2N1923
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 750mW |
| Ucb,max | 85V |
| Uce,max | 85V |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 60mA |
| Ft,max | 45MHz |
| Cctip,pF | 15 |
| Hfe | 4MIN |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | BFY50 2N2297 |
| Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
| Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
| to5 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |