Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 600mW |
Ucb,max | 45V |
Uce,max | 30V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 60MHz |
Cctip,pF | 35 |
Hfe | 30/150 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BFY50 2N2297 |
Изготовитель |
steБиполярные транзисторы steIGBT транзисторы steFET транзисторы ste |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
to5 | Распиновка |
---|---|