Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 100W |
Ucb,max | 500V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 10A |
Ft,max | 8MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 30MIN |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | BUV47 2N6675 KT885A |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | Power, General Purpose |
to218 | Распиновка |
---|---|