Биполярный транзистор - 2N1985

Параметр Значение/Ед.Измерения
Материал Silicon
Полярность npn
Pc,max 800mW
Ucb,max 50V
Uce,max 25V
Ueb,max 5V
Ic,max 1A
Ft,max 40MHz
Cctip,pF 15
Hfe 15MIN
Tj,max 175ºC
Аналоги BFY50 2N2297
Изготовитель

ate

Биполярные транзисторы ate

IGBT транзисторы ate

FET транзисторы ate
Назначение Low Power, General Purpose
to5 Распиновка