Биполярный транзистор - 2N1989

Параметр Значение/Ед.Измерения
Материал Silicon
Полярность npn
Pc,max 600mW
Ucb,max 100V
Uce,max 45V
Ueb,max 5V
Ic,max 1A
Ft,max 40MHz
Cctip,pF 20
Hfe 20/60
Tj,max 175ºC
Аналоги BSW66 2N1893 KT630G
Изготовитель

ate

Биполярные транзисторы ate

IGBT транзисторы ate

FET транзисторы ate
Назначение Low Power, Medium Voltage, General Purpose
to5 Распиновка