Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 600mW |
Ucb,max | 100V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 3V |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 40MHz |
Cctip,pF | 20 |
Hfe | 20MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BSW66 2N1893 KT684V |
Изготовитель |
nscБиполярные транзисторы nscIGBT транзисторы nscFET транзисторы nsc |
Назначение | Low Power, Medium Voltage, General Purpose |
to5 | Распиновка |
---|---|