Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 800mW |
Ucb,max | 75V |
Uce,max | 50V |
Ueb,max | 7V |
Ic,max | 500mA |
Ft,max | 50MHz |
Cctip,pF | 25 |
Hfe | 100MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BFY50 2N2297 |
Изготовитель |
ateБиполярные транзисторы ateIGBT транзисторы ateFET транзисторы ate |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
to5 | Распиновка |
---|---|